Impurity States in the Presence of an Interface

A modification of the effective mass approximation in the Sham-Nakayama approach is discussed. Binding energies are calculated as functions of electric field, scattering length, and distance of impurities localized at the interface between SiO2, and an n-type inversion layer on Si (001). Eine Modifizierung der Effektivmassennaherung der Sham-Nakayama-Methode wird diskutiert. Die Bindungsenergien werden als Funktionen des elektrischen Feldes, der Streulange und des Abstands von Storstellen, die an der Grenzflache zwischen SiO2 und einer n-leitenden Inversionsschicht auf (001)-Si lokalisiert sind, berechnet.